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      深圳市富利豪科技有限公司

      高压MOS场效应管

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      耗尽型MOS管(N沟道) - 场效应管 - 电子元件
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      详细介绍

      标注的Id电流是MOS芯片的大常态电流,实际使用时的大常态电流还要受封装的大电流限制。因此客户设计产品时的大使用电流设定要考虑封装的大电流限制。建议客户设计产品时的大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。
      2. 建议在MOS的栅源(G/S)极之间并一个电阻(10K)和一个稳压二极管(5V-12V)起到保护栅源(G/S)极过压的作用。
      3.建议MOS管的开启电压尽量提高,这样MOS管才能充分开启导通,这个时候内阻小,不容易发烫。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上,中高压MOS的开启电压设定为10V以上.
      4.MOS 电路操作注意事项:
      静电在很多地方都会产生,采取下面的预防措施,可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏:
      ? 操作人员要通过防静电腕带接地。
      ? 设备外壳必须接地。
      ? 装配过程中使用的工具必须接地。
      ? 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输


      产品应用:    
      1.LED电源     
      2.电源(开关电源、UPS电源、通信电等) 
      3.充电器     
      4.适配器     
      5.电源板     
      6.小家电、家电电源板   
      7.电动车控制板    
      8.电动工具     
      9.电脑主板、显卡

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      主营:电动车高压MOS锂电池保护系列电源管理系列,DC-DC升压IC芯片
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